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MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
 

MOS主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)：開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。
 

只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi)，MOS即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同MOS這個(gè)差距可能很大。


MOS損壞原因

MOS損壞主要原因：

• 過流——持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀。
• 過壓——源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿。
• 靜電——靜電擊穿，CMOS電路都怕靜電。

MOS開關(guān)原理
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻D_S(ON)>。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻），內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。
 

防止MOS燒毀

MOS問題遠(yuǎn)沒這么簡(jiǎn)單，麻煩在它的柵極和源級(jí)間，源級(jí)和漏級(jí)間，柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），而MOS源級(jí)和漏級(jí)間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。
 

然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，如果獨(dú)立的就很簡(jiǎn)單了。

其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級(jí)間的電容C_GD，這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級(jí)間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級(jí)電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵-源電容C_GD充電達(dá)到一個(gè)平臺(tái)后，柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電。這時(shí)柵極和源級(jí)間電壓不再升高，達(dá)到一個(gè)平臺(tái)，這個(gè)是米勒平臺(tái)（米勒平臺(tái)就是給C_GD充電的過程），米勒平臺(tái)大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給C_GS充電，到達(dá)一定平臺(tái)后再給C_GD充電）。

因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致MOS寄生電感產(chǎn)生很大感抗。這里面就有電容、電感、電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高振蕩幅度越大，所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。

Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止MOS管燒毀。

過快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒振蕩，但過慢的充電雖減小了振蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS開通過程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓MOS只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變過程。
 

比如一個(gè)MOS最大電流100a，電池電壓96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)）MOS發(fā)熱功率是P=V*I(此時(shí)電流已達(dá)最大，負(fù)載尚未跑起來(lái)，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率最大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到完全導(dǎo)通時(shí)功率變成100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個(gè)MOS導(dǎo)通內(nèi)阻3毫歐姆），開關(guān)過程中這個(gè)發(fā)熱功率變化是驚人的。

如果開通時(shí)間慢，意味著發(fā)熱從9600w到30w過渡的慢，MOS結(jié)溫會(huì)升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒MOS。為了不燒MOS，只能降低MOS限流或者降低電池電壓。比如給它限制50a或電壓降低一半成48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半，不燒管子了。

這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗完全受MOS內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。

其實(shí)整個(gè)MOS開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩）。但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺(tái)就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂MOS震蕩更有可能引起下臂MOS誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
 

所以這個(gè)很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動(dòng)電路布線和主回路布線技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)（一般開通過程不超過1us）。開通損耗這個(gè)最簡(jiǎn)單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。


下面介紹點(diǎn)對(duì)普通用戶實(shí)用的

MOS挑選的重要參數(shù)簡(jiǎn)要說(shuō)明：

柵極電荷：Q_GS、Q_GD。

Q_GS：指的是柵極從0v充電到對(duì)應(yīng)電流米勒平臺(tái)時(shí)總充入電荷（實(shí)際電流不同，這個(gè)平臺(tái)高度不同，電流越大，平臺(tái)越高，這個(gè)值越大）。這個(gè)階段是給C_GS充電（也相當(dāng)于C_ISS，輸入電容）。

Q_GD：指的是整個(gè)米勒平臺(tái)的總充電電荷（在這稱為米勒電荷）。這個(gè)過程給C_GD（C_RSS，這個(gè)電容隨著G_D電壓不同迅速變化）充電。

 

在開關(guān)過沖中，MOS主要發(fā)熱區(qū)間是粗紅色標(biāo)注的階段。從V_GS開始超過閾值電壓，到米勒平臺(tái)結(jié)束是主要發(fā)熱區(qū)間。其中米勒平臺(tái)結(jié)束后MOS基本完全打開這時(shí)損耗是基本導(dǎo)通損耗（MOS內(nèi)阻越低損耗越低）。

閾值電壓前，MOS沒有打開，幾乎沒損耗（只有漏電流引起的一點(diǎn)損耗）。其中又以紅色拐彎地方損耗最大（Q_GS充電將近結(jié)束，快到米勒平臺(tái)和剛進(jìn)入米勒平臺(tái)這個(gè)過程發(fā)熱功率最大（更粗線表示）。

所以一定充電電流下，紅色標(biāo)注區(qū)間總電荷小的管子會(huì)很快度過，這樣發(fā)熱區(qū)間時(shí)間就短，總發(fā)熱量就低。所以理論上選擇Q_GS和Q_GD小的MOS管能快速度過開關(guān)區(qū)。

導(dǎo)通內(nèi)阻：R_DS（ON）；這個(gè)耐壓一定情況下是越低越好。
不過不同廠家標(biāo)的內(nèi)阻是有不同測(cè)試條件的。測(cè)試條件不同，內(nèi)阻測(cè)量值會(huì)不一樣。同一管子，溫度越高內(nèi)阻越大（這是硅半導(dǎo)體材料在MOS制造工藝的特性，改變不了，能稍改善）。所以大電流測(cè)試內(nèi)阻會(huì)增大（大電流下結(jié)溫會(huì)顯著升高），小電流或脈沖電流測(cè)試，內(nèi)阻降低（因?yàn)榻Y(jié)溫沒有大幅升高，沒熱積累）。