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MOS管輸出特性曲線，你看明白了嗎？
我們知道，三極管是利用IB的電流去控制電流IC的，所以說三極管是電流控制電流的器件。
而MOS管是利用VGS的電壓去控制電流Id的，所以說MOS管是電壓控制電流的器件。
對于N溝道增強型的MOS管，當(dāng)VGS>VGS(th)時，MOS就會開始導(dǎo)通，如果在D極和S極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產(chǎn)生。
在一定的VDS下，D極電流Id的大小是與G極電壓VGS有關(guān)的。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區(qū)：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。
MOSFET輸出特性曲線
GS 當(dāng)滿足V截止區(qū)：GS(th)，MOS管進入截止區(qū)。
截止區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。截止區(qū)也叫夾斷區(qū)，在該區(qū)時溝道全部夾斷，電流ID為0，管子不工作。
恒流區(qū)：當(dāng)滿足VGS≥VGS(th)，且VDS≥VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區(qū)。
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當(dāng)MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。
注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)（飽和區(qū)），相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。
DS ，且VGS(th)>VGS當(dāng)滿足V可變電阻區(qū)：GS-VGS(th)，MOS管進入可變電阻區(qū)。
可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關(guān)系，所以可以看作是一個線性電阻，當(dāng)VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個由VGS控制的可變電阻。
擊穿區(qū)在輸出特性左邊區(qū)域，隨著VDS增大，PN結(jié)承受太大的反向電壓而被擊穿，工作時應(yīng)該避免讓管子工作在該區(qū)域。
根據(jù)MOS管的輸出特性曲線，比如下圖是取VDS=10V的點，然后用作圖的方法，可取得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線。
轉(zhuǎn)移特性是表示VDS不變時，ID與VGS之間的關(guān)系。
在上圖的轉(zhuǎn)移特性曲線上，我們可以看到當(dāng)VGS大于4V時，ID大幅度增加，而當(dāng)VGS到達5V以上時，ID基本沒有什么大變化了。
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