斗破苍穹续集,盗墓笔记第二季

開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個(gè)人電腦，而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。

開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。開(kāi)關(guān)損耗（Switching-Loss）包括開(kāi)通損耗（Turn-on Loss）和關(guān)斷損耗(Turn-of Loss)，常常在硬開(kāi)關(guān)（Hard-Switching）和軟開(kāi)關(guān)（Soft-Switching）中討論。所謂開(kāi)通損耗（Turn-on Loss），是指非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個(gè)下降時(shí)間，同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流，也有一個(gè)上升時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)，開(kāi)關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū)，會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗即為開(kāi)通損耗。以此類(lèi)比，可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因，這里不再贅述。開(kāi)關(guān)損耗另一個(gè)意思是指在開(kāi)關(guān)電源中，對(duì)大的MOS管進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作時(shí)，需要對(duì)寄生電容充放電，這樣也會(huì)引起損耗。

MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則
1. 電壓應(yīng)力

在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓 V_DS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)漏源擊穿電壓的 90% 。即：

V_DS_peak ≤ 90% * V_(BR)DSS

注：一般地， V_(BR)DSS 具有正溫度系數(shù)。故應(yīng)取設(shè)備最低工作溫度條件下之 V_(BR)DSS值作為參考。

2. 漏極電流

其次考慮漏極電流的選擇?；驹瓌t為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大周期漏極電流不大于規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)最大漏源電流的 90% ；漏極脈沖電流峰值不大于規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)漏極脈沖電流峰值的 90% 即：

I_D_max ≤ 90% * I_D

I_D_pulse ≤ 90% * I_D P

_max。_D = (3~5)*I_D 會(huì)比實(shí)際最大工作電流大數(shù)倍，這是因?yàn)樯⒑墓β始皽厣拗萍s束。在初選計(jì)算時(shí)期還須根據(jù)下面第六條的散耗功率約束不斷調(diào)整此參數(shù)。建議初選于 3~5 倍左右 I_D_pulse 值作為參考。器件此參數(shù)的選擇是極為不確定的—主要是受工作環(huán)境，散熱技術(shù)，器件其它參數(shù)（如導(dǎo)通電阻，熱阻等）等相互制約影響所致。最終的判定依據(jù)是結(jié)點(diǎn)溫度（即如下第六條之“耗散功率約束”）。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在實(shí)際應(yīng)用中規(guī)格書(shū)目中之 I_D_max 及 I_D_pulse 具有負(fù)溫度系數(shù)，故應(yīng)取器件在最大結(jié)溫條件下之 I_D_max 及 I_D注：一般地， I

3. 驅(qū)動(dòng)要求
MOSFEF 的驅(qū)動(dòng)要求由其柵極總充電電量（ Q_G ）參數(shù)決定。在滿足其它參數(shù)要求的情況下，盡量選擇 Q_G 小者以便驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電壓選擇在保證遠(yuǎn)離最大柵源電壓（ V_GSS ）前提下使 Ron 盡量小的電壓值（一般使用器件規(guī)格書(shū)中的建議值）。

4. 損耗及散熱
小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的 R_TH 值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。

5. 損耗功率初算

MOSFET 損耗計(jì)算主要包含如下 8 個(gè)部分：

P_d = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

詳細(xì)計(jì)算公式應(yīng)根據(jù)具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應(yīng)用場(chǎng)合，還要考慮體內(nèi)二極管正向?qū)ㄆ陂g的損耗和轉(zhuǎn)向截止時(shí)的反向恢復(fù)損耗。損耗計(jì)算可參考下文的“MOS管損耗的8個(gè)組成部分”部分。

6. 耗散功率約束

器件穩(wěn)態(tài)損耗功率 PD,max 應(yīng)以器件最大工作結(jié)溫度限制作為考量依據(jù)。如能夠預(yù)先知道器件工作環(huán)境溫度，則可以按如下方法估算出最大的耗散功率：

PD,max ≤ （ Tj,max - Tamb ） / Rθj-a

其中 Rθj-a 是器件結(jié)點(diǎn)到其工作環(huán)境之間的總熱阻 , 包括 Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance 等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進(jìn)去。

MOS管損耗的8個(gè)組成部分
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。

1. 導(dǎo)通損耗Pon

導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開(kāi)啟后負(fù)載電流（即漏源電流） I_DS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 R_DS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。

導(dǎo)通損耗計(jì)算：

先通過(guò)計(jì)算得到 I_DS(on)(t) 函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 I_DS(on)rms ，再通過(guò)如下電阻損耗計(jì)算式計(jì)算：

Pon=I_DS(on)rms2 × R_DS(on) × K × Don

說(shuō)明：

計(jì)算 I_DS(on)rms 時(shí)使用的時(shí)期僅是導(dǎo)通時(shí)間 Ton ，而不是整個(gè)工作周期 Ts ；R_DS(on)會(huì)隨 I_DS(on)(t) 值和器件結(jié)點(diǎn)溫度不同而有所不同，此時(shí)的原則是根據(jù)規(guī)格書(shū)查找盡量靠近預(yù)計(jì)工作條件下的 R_DS(on) 值（即乘以規(guī)格書(shū)提供的一個(gè)溫度系數(shù) K）。

2. 截止損耗Poff

截止損耗，指在 MOSFET 完全截止后在漏源電壓 V_DS(off) 應(yīng)力下產(chǎn)生的漏電流 I_DSS 造成的損耗。

截止損耗計(jì)算：

先通過(guò)計(jì)算得到 MOSFET 截止時(shí)所承受的漏源電壓 V_DS(off) ，在查找器件規(guī)格書(shū)提供之 I_DSS ，再通過(guò)如下公式計(jì)算：

Poff=V_DS(off) × I_DSS ×（ 1-Don ）

說(shuō)明：

I_DSS 會(huì)依 V_DS(off) 變化而變化，而規(guī)格書(shū)提供的此值是在一近似 V_(BR)DSS 條件下的參數(shù)。如計(jì)算得到的漏源電壓 V_DS(off) 很大以至接近 V_(BR)DSS 則可直接引用此值，如很小，則可取零值，即忽略此項(xiàng)。

3. 開(kāi)啟過(guò)程損耗

開(kāi)啟過(guò)程損耗，指在 MOSFET 開(kāi)啟過(guò)程中逐漸下降的漏源電壓 V_{DS(off_on)(t)}與逐漸上升的負(fù)載電流（即漏源電流） I_{DS(off_on)(t)}交叉重疊部分造成的損耗。

開(kāi)啟過(guò)程損耗計(jì)算：

開(kāi)啟過(guò)程 V_{DS(off_on)(t)}與 I_{DS(off_on)(t)}交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開(kāi)啟時(shí)刻前之 V_{DS(off_end)}、開(kāi)啟完成后的 I_{DS(on_beginning)} 即圖示之 Ip1 ，以及 V_{DS(off_on)(t)}與 I_{DS(off_on)(t)} 重疊時(shí)間 Tx 。然后再通過(guò)如下公式計(jì)算：

Poff_on= fs ×∫ Tx V_{DS(off_on)(t)} × I_{D(off_on)(t)}× D_T

實(shí)際計(jì)算中主要有兩種假設(shè) — 圖 (A) 那種假設(shè)認(rèn)為 V_{DS(off_on)(t)}的開(kāi)始下降與 I_{D(off_on)(t)}的逐漸上升同時(shí)發(fā)生；圖 (B) 那種假設(shè)認(rèn)為 V_{DS(off_on)(t)}的下降是從 I_{D(off_on)(t)}上升到最大值后才開(kāi)始。圖 (C) 是 FLYBACK 架構(gòu)路中一 MOSFET 實(shí)際測(cè)試到的波形，其更接近于 (A) 類(lèi)假設(shè)。針對(duì)這兩種假設(shè)延伸出兩種計(jì)算公式：

(A) 類(lèi)假設(shè) Poff_on=1/6 × V_{DS(off_end)} × I_P1 × T_R ×F_S

(B) 類(lèi)假設(shè) Poff_on=1/2 × V_{DS(off_end)}× Ip1 × (T_D(on)+T_R) × F_S

(B) 類(lèi)假設(shè)可作為最?lèi)毫幽Ｊ降挠?jì)算值。

說(shuō)明：

圖 (C) 的實(shí)際測(cè)試到波形可以看到開(kāi)啟完成后的 I_{DS(on_beginning)}>>Ip1 （電源使用中 Ip1 參數(shù)往往是激磁電流的初始值）。疊加的電流波峰確切數(shù)值我們難以預(yù)計(jì)得到，其跟電路架構(gòu)和器件參數(shù)有關(guān)。例如 FLYBACK 中實(shí)際電流應(yīng) 是 Itotal=Idp1+Ia+Ib (Ia 為次級(jí)端整流二極管的反向恢復(fù)電流感應(yīng)回初極的電流值 -- 即乘以匝比， Ib 為變壓器初級(jí)側(cè)繞組層間寄生電容在 MOSFET 開(kāi)關(guān)開(kāi)通瞬間釋放的電流 ) 。這個(gè)難以預(yù)計(jì)的數(shù)值也是造成此部分計(jì)算誤差的主要原因之一。

4. 關(guān)斷過(guò)程損耗

關(guān)斷過(guò)程損耗。指在 MOSFET 關(guān)斷過(guò)程中逐漸上升的漏源電壓 V_{DS(on_off) (t)}與逐漸下降的漏源電流 I_{DS(on_off)(t)}的交叉重疊部分造成的損耗。

關(guān)斷過(guò)程損耗計(jì)算：

如上圖所示，此部分損耗計(jì)算原理及方法跟 Poff_on 類(lèi)似。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 V_{DS(off_beginning)} 、關(guān)斷時(shí)刻前的負(fù)載電流 I_{DS(on_end)}即圖示之 Ip2 以及 V_{DS(on_off) (t)}與 I_{DS(on_off)(t)} 重疊時(shí)間 Tx 。然后再通過(guò) 如下公式計(jì)算：

Poff_on= fs ×∫ Tx V_{DS(on_off) (t)} × I_{DS(on_off)(t)} × D_T

實(shí)際計(jì)算中，針對(duì)這兩種假設(shè)延伸出兩個(gè)計(jì)算公式：

(A) 類(lèi)假設(shè) Poff_on=1/6 × V_{DS(off_beginning)} × I_P2 × T_F × F_S

(B) 類(lèi)假設(shè) Poff_on=1/2 × V_{DS(off_beginning)} × I_P2 × (T_D(off)+tf) × F_S

(B) 類(lèi)假設(shè)可作為最?lèi)毫幽Ｊ降挠?jì)算值。

說(shuō)明：

I_{DS(on_end)}=Ip2 ，電源使用中這一參數(shù)往往是激磁電流的末端值。因漏感等因素， MOSFET 在關(guān)斷完成后之 V_{DS(off_beginning)}往往都有一個(gè)很大的電壓尖峰 Vspike 疊加其上，此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。

5. 驅(qū)動(dòng)損耗Pgs

驅(qū)動(dòng)損耗，指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗

驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算

確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 V_GS 后，可通過(guò)如下公式進(jìn)行計(jì)算：

Pgs= V_GS × Q_G × F_S

說(shuō)明：

Q_G 為總驅(qū)動(dòng)電量，可通過(guò)器件規(guī)格書(shū)查找得到。

6. Coss電容的泄放損耗Pds

Coss電容的泄放損耗,指MOS輸出電容 Coss 截止期間儲(chǔ)蓄的電場(chǎng)能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗。

Coss電容的泄放損耗計(jì)算

首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開(kāi)啟時(shí)刻前之 V_DS ，再通過(guò)如下公式進(jìn)行計(jì)算：

Pds=1/2 × V_{DS(off_end)}2 × Coss × F_S

說(shuō)明

Coss 為 MOSFET 輸出電容，一般可等于 C_DS ，此值可通過(guò)器件規(guī)格書(shū)查找得到。

7. 體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗Pd_f

體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗,指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時(shí)因正向壓降造成的損耗。

體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計(jì)算

在一些利用體內(nèi)寄生二極管進(jìn)行載流的應(yīng)用中（例如同步整流），需要對(duì)此部分之損耗進(jìn)行計(jì)算。公式如下：

Pd_f = I_F × V_DF × T_X × F_S

其中：I_F 為二極管承載的電流量， V_DF 為二極管正向?qū)▔航担?tx 為一周期內(nèi)二極管承載電流的時(shí)間。

說(shuō)明

會(huì)因器件結(jié)溫及承載的電流大小不同而不同。可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境在其規(guī)格書(shū)上查找到盡量接近之?dāng)?shù)值。

8. 體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗Pd_recover

體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。

體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計(jì)算

這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下：

Pd_recover=V_DR × Q_RR × F_S

其中：V_DR 為二極管反向壓降， Q_RR 為二極管反向恢復(fù)電量，由器件提供之規(guī)格書(shū)中查找而得。

減少M(fèi)OS管損耗的方法

減小開(kāi)關(guān)損耗一方面要盡可能地制造出具有理想開(kāi)關(guān)特性的器件,另一方面利用新的線路技術(shù)改變器件開(kāi)關(guān)時(shí)期的波形,如:晶體管緩沖電路,諧振電路,和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)等。

(1) 晶體管緩沖電路(即加吸收網(wǎng)絡(luò)技術(shù))

早期電源多采用此線路技術(shù)。采用此電路, 功率損耗雖有所減小,但仍不是很理想。
① 減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級(jí)線圈后面加飽和電感, 加反向恢復(fù)時(shí)間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性, 限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
② 減少截止損耗加R 、C 吸收網(wǎng)絡(luò), 推遲變壓器反激電壓發(fā)生時(shí)間, 最好在電流為0時(shí)產(chǎn)生反激電壓,此時(shí)功率損耗為0。該電路利用電容上電壓不能突變的特性,推遲反激電壓發(fā)生時(shí)間。為了增加可靠性,也可在功率管上加R 、C 。但是此電路有明顯缺點(diǎn):因?yàn)殡娮璧拇嬖?導(dǎo)致吸收網(wǎng)絡(luò)有損耗。

(2) 諧振電路

該電路只改變開(kāi)關(guān)瞬間電流波形,不改變導(dǎo)通時(shí)電流波形。只要選擇好合適的L 、C ,結(jié)合二極管結(jié)電容和變壓器漏感, 就能保證電壓為0時(shí),開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通或截止。因此, 采用諧振技術(shù)可使開(kāi)關(guān)損耗很小。

(3) 軟開(kāi)關(guān)技術(shù)

該電路是在全橋逆變電路中加入電容和二極管。二極管在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)起鉗位作用, 并構(gòu)成瀉放回路, 瀉放電流。電容在反激電壓作用下, 電容被充電, 電壓不能突然增加, 當(dāng)電壓比較大的時(shí)侯, 電流已經(jīng)為0。